对比图
描述 600V,31.5A,N沟道MOSFETSTMICROELECTRONICS STP34NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.092 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-262-3 TO-220-3
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.092 Ω
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 40W (Tc) 210 W
阈值电压 - 3 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V
上升时间 36 ns 34 ns
输入电容(Ciss) 2722pF @100V(Vds) 2722pF @100V(Vds)
额定功率(Max) - 210 W
下降时间 73 ns 70 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 40W (Tc) 250W (Tc)
连续漏极电流(Ids) 31.5A -
长度 - 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm
高度 - 15.75 mm
封装 TO-262-3 TO-220-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17