STMICROELECTRONICS STP34NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.092 ohm, 10 V, 3 V
N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics
欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STP34NM60N, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
得捷:
MOSFET N-CH 600V 29A TO220-3
立创商城:
STP34NM60N
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.092 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
富昌:
N-沟道 600 V 105 mOhm 法兰安装 MDmesh™ II 功率 Mosfet - TO-220
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 250W; TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STP34NM60N MOSFET Transistor, N Channel, 29 A, 600 V, 0.092 ohm, 10 V, 3 V
力源芯城:
600V,29A,N沟道MOSFET
针脚数 3
漏源极电阻 0.092 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 210 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 34 ns
输入电容Ciss 2722pF @100VVds
额定功率Max 210 W
下降时间 70 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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