对比图
型号 IXGH30N60A IXGH36N60A3 STGP8NC60KD
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 3Pin(3+Tab) TO-247ADTrans IGBT Chip N-CH 600V 36A 220000mW 3Pin(3+Tab) TO-247STGP8NC60K 系列 N 沟道 600V 8 A 额定短路电流 PowerMESH IGBT - TO-220
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3
耗散功率 - 220000 mW 65 W
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
额定功率(Max) 200 W 220 W 65 W
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 220000 mW 65000 mW
针脚数 - - 3
反向恢复时间 - - 23.5 ns
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 EAR99