R5016ANJTL和STB20NK50ZT4的区别_R5016ANJTL代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

描述 MOSFET TRANS MOSFET NCH 500V 16A 3PinN沟道500V -0.23 OHM - 17A TO- 220 / D2PAK / I2SPAK / TO- 247 N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Advanced Power Technology

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 SC-83 TO-263-3 -

耗散功率 100 W 190 W -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V -

上升时间 50 ns 20 ns -

输入电容(Ciss) 1800pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) -

下降时间 55 ns 15 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 100W (Tc) 190W (Tc) -

额定电压(DC) - 500 V -

额定电流 - 17.0 A -

漏源极电阻 - 0.23 Ω -

极性 - N-Channel -

阈值电压 - 3.75 V -

漏源击穿电压 - 500 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 17.0 A -

额定功率(Max) - 190 W -

封装 SC-83 TO-263-3 -

材质 Silicon - -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Not Recommended Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -