对比图
型号 FQT13N06LTF FQT13N06TF STN3NF06L
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQT13N06LTF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 60 V, 0.088 ohm, 10 V, 2.5 VON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQT13N06TF, 2.8 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装STMICROELECTRONICS STN3NF06L 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 2.8 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 4 4
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
额定电压(DC) 60.0 V - 60.0 V
额定电流 2.80 A - 4.00 A
通道数 1 - 1
针脚数 3 3 4
漏源极电阻 0.088 Ω 0.11 Ω 0.07 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 2.1 W 2.1 W 3.3 W
阈值电压 2.5 V 4 V 2.8 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60 V - 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±16.0 V
连续漏极电流(Ids) 2.80 A - 4.00 A
上升时间 90 ns 25 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 350pF @25V(Vds) 240pF @25V(Vds) 340pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.1 W 2.1 W 3.3 W
下降时间 40 ns 15 ns 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.1W (Tc) 2.1 W 3.3W (Tc)
额定功率 - - 3.3 W
长度 6.5 mm 6.5 mm 6.5 mm
宽度 3.56 mm 3.56 mm 3.5 mm
高度 1.6 mm 1.6 mm 1.8 mm
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -