FCPF260N60E和SPA15N60C3XKSA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FCPF260N60E SPA15N60C3XKSA1 SIHF15N60E-E3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCPF260N60E  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.22 ohm, 10 V, 2.5 VINFINEON  SPA15N60C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 650 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 VVISHAY  SIHF15N60E-E3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.23 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)

分类 中高压MOS管MOS管中高压MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220F-3 TO-220-3 TO-220

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.22 Ω 0.25 Ω 0.23 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 36 W 34 W 34 W

阈值电压 2.5 V 3 V 2 V

漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 15A 15A -

上升时间 11 ns 5 ns 51 ns

输入电容(Ciss) 2500pF @25V(Vds) 1660pF @25V(Vds) -

下降时间 13 ns 5 ns 33 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 36W (Tc) 34W (Tc) -

额定功率(Max) 36 W - -

长度 10.36 mm 10.65 mm -

宽度 16.07 mm 4.85 mm -

高度 16.07 mm 9.83 mm -

封装 TO-220F-3 TO-220-3 TO-220

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs -

包装方式 Tube Rail, Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2017/01/12 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

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