对比图
型号 NTR4501NT1G TSM2314CX RFG SI2302CDS-T1-GE3
描述 ON SEMICONDUCTOR NTR4501NT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 20 V, 80 mohm, 4.5 V, 1.2 VN-Channel Power MOSFET, Taiwan Semiconductor### MOSFET 晶体管，Taiwan SemiconductorVISHAY SI2302CDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.9 A, 20 V, 0.045 ohm, 8 V, 850 mV
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Taiwan Semiconductor (台湾半导体) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23 TO-236
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.08 Ω 0.027 Ω 0.045 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 1.25 W 1.25 W 710 mW
阈值电压 1.2 V 850 mV 850 mV
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 3.20 A - 2.90 A
上升时间 12 ns 1.4 ns 7 ns
下降时间 3 ns 5.9 ns 7 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
额定电压(DC) 20.0 V - -
额定电流 3.20 A - -
额定功率 1.25 W - -
无卤素状态 Halogen Free - -
漏源击穿电压 20.0 V - -
栅源击穿电压 ±12.0 V - -
输入电容(Ciss) 200pF @10V(Vds) 900pF @10V(Vds) -
额定功率(Max) 1.25 W - -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 1.25 W 1.25 W -
封装 SOT-23-3 SOT-23 TO-236
长度 2.9 mm 3.1 mm -
宽度 1.3 mm 1.7 mm -
高度 0.94 mm 1.2 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
产品生命周期 Active Active -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - EAR99