BD135和BD135G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD135 BD135G BD137G

描述 塑料中功率型硅NPN晶体管 Plastic Medium Power Silicon NPN TransistorON SEMICONDUCTOR  BD135G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 1.25 W, 1.5 A, 25 hFE 新ON SEMICONDUCTOR  BD137G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 65 W, 1.5 A, 40 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

频率 - - 50 MHz

额定电压(DC) 45.0 V 45.0 V 60.0 V

额定电流 1.50 A 1.50 A 6.00 A

针脚数 - 3 3

极性 N-Channel NPN NPN

耗散功率 1.25 W 1.25 W 65 W

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 60 V

集电极最大允许电流 1.5A 1.5A 1.5A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V

额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W 1.25 W

直流电流增益(hFE) - 250 40

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 1250 mW 1.25 W

最大电流放大倍数(hFE) 250 - -

热阻 - 10℃/W (RθJC) -

长度 - 7.8 mm 7.74 mm

宽度 - 2.66 mm 2.66 mm

高度 - 11.04 mm 11.04 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Bulk Bulk Bulk

最小包装 500 - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2016/06/20

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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