对比图
型号 FDC610PZ SI3483CDV-T1-GE3
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC610PZ 晶体管, P沟道P 通道 MOSFET，30V 至 80V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6
封装 TSOT-23-6 TSOP-6
针脚数 6 6
漏源极电阻 0.036 Ω 27 mΩ
耗散功率 1.6 W 2 W
阈值电压 2.2 V 3 V
输入电容 1.005 nF -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
上升时间 4 ns -
输入电容(Ciss) 1005pF @15V(Vds) 1000pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 800 mW 4.2 W
下降时间 4 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.6 W 2000 mW
通道数 1 -
极性 P-Channel P-Channel
漏源击穿电压 30 V -
栅源击穿电压 ±25.0 V -
连续漏极电流(Ids) 4.90 mA -6.10 A
正向电压(Max) - 1.2 V
长度 3 mm 3.1 mm
宽度 1.7 mm 1.7 mm
高度 1 mm 1 mm
封装 TSOT-23-6 TSOP-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
重量 0.004535924 kg -
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - 3000
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 -