MUN2232T1G和MUN2233T1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN2232T1G MUN2233T1 PDTC143ZT,235

描述 NPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。NPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORTO-236AB NPN 50V 100mA

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V -

额定电流 100 mA 100 mA -

无卤素状态 Halogen Free - -

极性 NPN NPN N-Channel, NPN

耗散功率 338 mW 230 mW 0.25 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 15 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V 100 @10mA, 5V

额定功率(Max) 338 mW 338 mW 250 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 338 mW - 250 mW

最大电流放大倍数(hFE) - 80 -

长度 2.9 mm 2.9 mm -

宽度 1.5 mm 1.5 mm -

高度 1.09 mm 1.09 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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