对比图
型号 IRFS38N20DTRRP STB30NF20 STB40NF20
描述 MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 54mOhms 60NCSTMICROELECTRONICS STB30NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 200 V, 0.065 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STB40NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 200 V, 45 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 2 3
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) - - 200 V
额定电流 - - 40.0 A
针脚数 - 2 3
漏源极电阻 - 0.065 Ω 0.045 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.8 W 125 W 160 W
阈值电压 - 3 V 3 V
输入电容 - - 2.50 nF
栅电荷 - - 75.0 nC
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 - - 200 V
连续漏极电流(Ids) - - 25.0 A, 40.0 A
上升时间 - 15.7 ns 44 ns
输入电容(Ciss) 2900pF @25V(Vds) 1597pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.8 W 125 W 160 W
下降时间 - 8.8 ns 22 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 125W (Tc) 160W (Tc)
通道数 - 1 -
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 9.35 mm 9.35 mm
高度 - 4.6 mm 4.6 mm
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - - EAR99