JANS2N6849和JANTX2N6849

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANS2N6849 JANTX2N6849 JANTXV2N6849

描述 Trans MOSFET P-CH 100V 6.5A 3Pin TO-39Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.345Ω, 1Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-39, 3PinTrans MOSFET P-CH 100V 6.5A 3Pin TO-39

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管

基础参数对比

引脚数 3 3 3

封装 TO-205 TO-205 TO-205

安装方式 - - Through Hole

输入电容(Ciss) 800pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds) -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 25000 mW 25000 mW 800mW (Ta), 25W (Tc)

耗散功率 - - 0.8 W

漏源极电压(Vds) - - 100 V

封装 TO-205 TO-205 TO-205

产品生命周期 Active Active Obsolete

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - - Contains Lead

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台