对比图
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6680AS 晶体管, MOSFET, N沟道, 11.5 A, 30 V, 10 mohm, 10 V, 1.5 VN 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8
针脚数 8 -
漏源极电阻 0.01 Ω 0.0085 Ω
耗散功率 2.5 mW 2.5 W
阈值电压 1.5 V 1 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
输入电容(Ciss) 1240pF @15V(Vds) 1440pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1 W 2.5 W
下降时间 11 ns 16 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5 W 2500 mW
额定电压(DC) -30.0 V 30.0 V
额定电流 -11.5 A 11.0 A
极性 N-Channel N-Channel
输入电容 1.24 nF -
栅电荷 22.0 nC -
漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V
连续漏极电流(Ids) 11.5 A 11.0 A
上升时间 5.00 ns 39 ns
额定功率 - 2.5 W
栅源击穿电压 - ±18.0 V
长度 5 mm 5 mm
宽度 4 mm 4 mm
高度 1.5 mm 1.25 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 -