FDS4675和FDS4675_NL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS4675 FDS4675_NL FDS4675_F085

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4675  晶体管, MOSFET, P沟道, -11 A, -40 V, 13 mohm, -10 V, -1.4 V40V P-Channel PowerTrench MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4675_F085  晶体管, MOSFET, P沟道, -11 A, -40 V, 0.01 ohm, -10 V, -1.4 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 0.013 Ω - 0.01 Ω

极性 P-Channel P-CH P-Channel

耗散功率 2.4 W - 1.4 W

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) -11.0 A 11A 11A

输入电容(Ciss) 4350pF @20V(Vds) - 4350pF @20V(Vds)

额定功率(Max) 1.2 W - 1.2 W

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2.4W (Ta) - 2.4W (Ta)

额定电压(DC) -40.0 V - -

额定电流 -11.0 A - -

输入电容 4.35 nF - -

栅电荷 40.0 nC - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

上升时间 29.0 ns - -

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.9 mm - 3.9 mm

高度 1.575 mm - 1.575 mm

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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