对比图
描述 的TrenchMOS标准水平FET TrenchMOS standard level FETSO N-CH 200V 4A
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管
封装 SO SO-8
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - 8
极性 N-Channel N-Channel
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 4A 4.00 A
通道数 - 1
漏源极电阻 - 130 mΩ
耗散功率 - 6.25 W
漏源击穿电压 - 200 V
上升时间 - 10 ns
输入电容(Ciss) - 1230pF @25V(Vds)
下降时间 - 14 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - 55 ℃
耗散功率(Max) - 6.25W (Tc)
封装 SO SO-8
长度 - 5 mm
宽度 - 4 mm
高度 - 1.45 mm
产品生命周期 Unknown Obsolete
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)