SO N-CH 200V 4A
N-Channel 200V 4A Tc 6.25W Tc Surface Mount 8-SO
得捷:
MOSFET N-CH 200V 4A SOT96-1
贸泽:
MOSFET PHK4NQ20T/SO8/REEL13DP//
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 4A 8-Pin SO T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 200V 4A SOT96-1
通道数 1
漏源极电阻 130 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 6.25 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 4.00 A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 1230pF @25VVds
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 6.25W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SO-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.45 mm
封装 SO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PHK4NQ20T,518 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PHK4NQ20T 恩智浦 | 功能相似 | PHK4NQ20T,518和PHK4NQ20T的区别 |