KSE350STU和MJE350G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSE350STU MJE350G MJE350STU

描述 PNP 20 W 300 V 0.5 A 通孔 外延硅 晶体管 - TO-126-3ON SEMICONDUCTOR  MJE350G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 300 V, 20 W, 500 mA, 240 hFEON Semiconductor MJE350STU , PNP 晶体管, 500 mA, Vce=300 V, HFE:30, 3引脚 TO-126封装

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

针脚数 - 3 3

耗散功率 20000 mW 20 W 20 W

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V 300 V

最小电流放大倍数(hFE) 30 @50mA, 10V 30 30 @50mA, 10V

额定功率(Max) 20 W 20 W 20 W

直流电流增益(hFE) - 240 30

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 20000 mW 20000 mW 20000 mW

额定电压(DC) - -300 V -

额定电流 - -500 mA -

极性 - PNP, P-Channel -

热阻 - 6.25℃/W (RθJC) -

集电极最大允许电流 - 0.5A -

长度 - 7.74 mm 8 mm

宽度 - 2.66 mm 3.25 mm

高度 - 11.04 mm 11 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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