对比图
型号 TLV2252AQDRQ1 V62/04651-02UE TLV2252AQDRG4Q1
描述 高级LinCMOSâ ?? ¢轨到轨极低功耗运算放大器 Advanced LinCMOS⢠RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS中晚期原发性肝癌LinCMOSâ ?? ¢ RAIL- TO -RAIL极低功耗OPERATIOPNAL放大器 Advanved LinCMOS⢠RAIL-TO-RAIL VERY-LOW-POWER OPERATIOPNAL AMPLIFIERS高级LinCMOSâ ?? ¢轨到轨极低功耗运算放大器 Advanced LinCMOS⢠RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
供电电流 70 µA - 70 µA
电路数 2 - 2
通道数 2 2 2
耗散功率 725 mW 725 mW 725 mW
共模抑制比 70 dB - 70dB ~ 83dB
输入补偿漂移 500 nV/K 500 nV/K 500 nV/K
带宽 187 kHz 187 kHz 187 kHz
转换速率 120 mV/μs 120 mV/μs 120 mV/μs
增益频宽积 200 kHz 0.2 MHz 200 kHz
输入补偿电压 200 µV - 200 µV
输入偏置电流 1 pA - 1 pA
工作温度(Max) 125 ℃ - 125 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ - 40 ℃
增益带宽 0.2 MHz 0.2 MHz 0.2 MHz
耗散功率(Max) 725 mW 725 mW 725 mW
共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 70 dB
电源电压(Max) 16 V - 16 V
电源电压(Min) 2.7 V - 2.7 V
长度 4.9 mm - 4.9 mm
宽度 3.91 mm - 3.91 mm
高度 1.58 mm - 1.58 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free