对比图
型号 JANTXV2N5663 NTE2347 MPS6652G
描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNTE ELECTRONICS NTE2347 双极性晶体管, NPN, 80V, TO-39ON SEMICONDUCTOR MPS6652G 双极晶体管
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) NTE Electronics ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-5 TO-39 TO-226-3
极性 NPN NPN PNP, P-Channel
耗散功率 1 W 1 W 625 mW
击穿电压(集电极-发射极) 300 V - 40 V
集电极最大允许电流 2A - 1A
最小电流放大倍数(hFE) 25 @500mA, 5V - 50 @500mA, 1V
额定功率(Max) 1 W - 625 mW
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 1000 mW - 625000 mW
额定电压(DC) - 80.0 V -40.0 V
额定电流 - 5.00 A -1.00 A
针脚数 - 3 3
直流电流增益(hFE) - 40 100
频率 - - 100 MHz
封装 TO-5 TO-39 TO-226-3
材质 Silicon - -
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Bag - Box
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead - Lead Free
ECCN代码 - EAR99 EAR99
HTS代码 - 85412900951 -