对比图
型号 FDC604P STT5PF20V SI3433CDV-T1-GE3
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC604P 晶体管, MOSFET, P沟道, 5.5 A, -20 V, 33 mohm, -4.5 V, -700 mVP沟道20V - 0.065W - 5A SOT23-6L 2.5V -DRIVE的STripFET II功率MOSFET P-CHANNEL 20V - 0.065W - 5A SOT23-6L 2.5V-DRIVE STripFET II POWER MOSFETP通道20 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 TSOT-23-6 SOT-23-6 TSOP-6
针脚数 6 - 6
漏源极电阻 33 mΩ - 0.031 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 1.6 W 1.6W (Tc) 1.6 W
阈值电压 - - 1 V
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) -5.50 A 2.50 A -5.20 A
上升时间 11 ns 47 ns 22 ns
输入电容(Ciss) 1926pF @10V(Vds) 412pF @15V(Vds) 1300pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 800 mW 1.6 W 3.3 W
下降时间 45 ns 20 ns 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.6 W 1.6W (Tc) 3.3 W
额定电压(DC) -20.0 V - -
额定电流 -5.50 A - -
输入电容 1.93 nF - -
栅电荷 19.0 nC - -
漏源击穿电压 -20.0 V - -
栅源击穿电压 ±8.00 V - -
长度 3 mm - 3.1 mm
宽度 1.7 mm - 1.7 mm
高度 1 mm - 1 mm
封装 TSOT-23-6 SOT-23-6 TSOP-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - - 3000
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 - -