IRFR024NTRPBF和IRFR1205PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR024NTRPBF IRFR1205PBF IRFR014PBF

描述 INFINEON  IRFR024NTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 55 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRFR1205PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 55 V, 0.027 ohm, 10 V, 4 VVISHAY  IRFR014PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 7.7 A, 60 V, 200 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) - - 60.0 V

额定电流 - - 7.70 A

额定功率 38 W 69 W 25 W

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.075 Ω 0.027 Ω 0.2 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 45 W 69 W 25 W

阈值电压 4 V 4 V 4 V

输入电容 370pF @25V - 300pF @25V

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 60 V

漏源击穿电压 55 V - 60 V

连续漏极电流(Ids) 17A 44A 7.70 A

上升时间 34 ns 69 ns 50 ns

输入电容(Ciss) 370pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds)

下降时间 27 ns 60 ns 19 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 45W (Tc) 107W (Tc) 2.5 W

额定功率(Max) 45 W 107 W -

通道数 - 1 -

长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.39 mm 2.39 mm 2.38 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

产品生命周期 Active Active -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

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