对比图
型号 FQI4N20 FQI4N20TU IRLI610ATU
描述 200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFETN沟道 200V 3.6AN沟道 200V 3.3A
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
封装 I2PAK TO-262-3 TO-262-3
额定电压(DC) - 200 V 200 V
额定电流 - 3.60 A 3.30 A
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 - 3.13 W 3.1 W
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 3.6A 3.60 A 3.30 A
上升时间 - 50 ns 9 ns
输入电容(Ciss) - 220pF @25V(Vds) 240pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 3.13 W 3.1 W
下降时间 - 25 ns 6 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 3.13W (Ta), 45W (Tc) 3.1W (Ta), 33W (Tc)
漏源极电阻 - - 1.50 Ω
漏源击穿电压 - - 200 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
封装 I2PAK TO-262-3 TO-262-3
长度 - - 10.29 mm
宽度 - - 4.83 mm
高度 - - 7.88 mm
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free