SD57030和SD57030-01

对比图

型号 SD57030 SD57030-01 MRF182SR1

描述 RF功率晶体管的LDMOST系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST FAMILYLdmoST 系列 N沟道 增强模式 场效应 射频 功率晶体管Trans RF MOSFET N-CH 65V 3Pin NI-360 T/R

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)

分类 晶体管MOS管

安装方式 Screw Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 M-243 M-250 -

频率 945 MHz 945 MHz -

额定电压(DC) 65.0 V 65.0 V -

额定电流 4 A 4 A -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 74000 mW 74 W -

输入电容 58.0 pF 58.0 pF -

漏源极电压(Vds) 65.0 V 65 V -

漏源击穿电压 65.0 V 65.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 4.00 A 4.00 A -

输出功率 30 W 30 W -

增益 15 dB 15 dB -

测试电流 50 mA 50 mA -

输入电容(Ciss) 58pF @28V(Vds) 58pF @28V(Vds) -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 74000 mW 74000 mW -

额定电压 65 V 65 V -

长度 - 9.91 mm -

宽度 - 6.09 mm -

高度 - 3.94 mm -

封装 M-243 M-250 -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ -65℃ ~ 200℃ -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Box Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -