对比图
型号 FQH18N50V2 STP20NM50FD STW20NM50
描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETN沟道500V - 0.22W - 20A TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK FDmesh⑩功率MOSFET （具有快速二极管） N-CHANNEL 500V - 0.22W - 20A TO-220/TO-220FP/D2PAK FDmesh⑩ Power MOSFET (with FAST DIODE)STMICROELECTRONICS STW20NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 550 V, 250 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-247-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 500 V 500 V 550 V
额定电流 20.0 A 20.0 A 20.0 A
漏源极电阻 265 mΩ 250 mΩ 250 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 277 W 192 W 214 W
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 550 V
漏源击穿电压 500 V 500 V 550 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 20.0 A 20.0 A 20.0 A
上升时间 150 ns 20 ns 16 ns
输入电容(Ciss) 3290pF @25V(Vds) 1380pF @25V(Vds) 1480pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 277 W 192 W 214 W
下降时间 110 ns 15 ns 8.5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 277W (Tc) 192W (Tc) 214W (Tc)
针脚数 - - 3
阈值电压 - 4 V 4 V
通道数 - 1 -
输入电容 - 1380 pF -
长度 15.87 mm 10.4 mm 15.75 mm
宽度 4.82 mm 4.6 mm 5.15 mm
高度 20.82 mm 9.15 mm 20.15 mm
封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -