FCPF260N60E和SPA15N60C3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FCPF260N60E SPA15N60C3 SPA15N60C3XKSA1

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCPF260N60E  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.22 ohm, 10 V, 2.5 VINFINEON  SPA15N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 650 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 VINFINEON  SPA15N60C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 650 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 中高压MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220F-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 650 V -

额定电流 - 15.0 A -

通道数 - 1 -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.22 Ω 0.25 Ω 0.25 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 36 W 34 W 34 W

阈值电压 2.5 V 3 V 3 V

输入电容 - 1.66 nF -

栅电荷 - 63.0 nC -

漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 650 V

漏源击穿电压 - 600 V -

连续漏极电流(Ids) 15A 15.0 A 15A

上升时间 11 ns 5 ns 5 ns

输入电容(Ciss) 2500pF @25V(Vds) 1660pF @25V(Vds) 1660pF @25V(Vds)

下降时间 13 ns 5 ns 5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 36W (Tc) 34 W 34W (Tc)

额定功率(Max) 36 W - -

长度 10.36 mm 10.65 mm 10.65 mm

宽度 16.07 mm 4.85 mm 4.85 mm

高度 16.07 mm 9.83 mm 9.83 mm

封装 TO-220F-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2017/01/12

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