对比图
型号 FQD12N20LTM FQD12N20LTM_F085 STD20NF20
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD12N20LTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 200 V, 0.22 ohm, 10 V, 2 VMOSFET Trans MOS N-Ch 200V 9A 3Pin 2+TabSTMICROELECTRONICS STD20NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 125 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 200 V - 200 V
额定电流 9.00 A - 18.0 A
额定功率 - - 110 W
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 220 mΩ - 0.125 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 90 W
阈值电压 2 V - 3 V
输入电容 - - 940 pF
栅电荷 - - 28.0 nC
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V - 200 V
连续漏极电流(Ids) 9.00 A 9A 18.0 A
上升时间 190 ns 190 ns 30 ns
正向电压(Max) - - 1.6 V
输入电容(Ciss) 1080pF @25V(Vds) 1080pF @25V(Vds) 940pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W - 90 W
下降时间 120 ns 120 ns 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5 W 2.5W (Ta), 55W (Tc) 110W (Tc)
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
长度 6.6 mm - 6.6 mm
宽度 6.1 mm - 6.2 mm
高度 2.3 mm 2.3 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 - EAR99