对比图
型号 FQA6N90_F109 FQA6N90C_F109
描述 MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3PFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQA6N90C_F109 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 900 V, 1.93 ohm, 10 V, 5 V
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-3-3 TO-3-3
引脚数 - 3
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 198W (Tc) 198 W
漏源极电压(Vds) 900 V 900 V
连续漏极电流(Ids) 6.4A 6A
输入电容(Ciss) 1880pF @25V(Vds) 1770pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 198 W 198 W
耗散功率(Max) 198W (Tc) 198W (Tc)
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 1.93 Ω
阈值电压 - 5 V
上升时间 - 90 ns
下降时间 - 60 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
封装 TO-3-3 TO-3-3
长度 - 15.8 mm
宽度 - 5 mm
高度 - 18.9 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99