对比图
型号 IRFR1205PBF IRFR1205TRPBF IRFR1205TRLPBF
描述 INFINEON IRFR1205PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 55 V, 0.027 ohm, 10 V, 4 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。N沟道 55V 44A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 69 W 69 W -
通道数 1 1 1
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.027 Ω 0.027 Ω 27 mΩ
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 69 W 107 W 107 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 44A 44A 44A
上升时间 69 ns 69 ns 69 ns
输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 107 W 107 W -
下降时间 60 ns 60 ns 60 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 107W (Tc) 107W (Tc) 107W (Tc)
漏源击穿电压 - - 55 V
长度 6.73 mm 6.73 mm 6.5 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.39 mm 2.39 mm 2.3 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -