对比图
型号 BLP8G10S-45PGJ BLP8G10S-45PGY
描述 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP8G10S-45PG/HSOP4/REEL13//Trans RF MOSFET N-CH 65V 4Pin HSOP EP T/R
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 晶体管晶体管
引脚数 - 4
封装 SOT-1223-1 HSOP
工作温度(Max) - 225 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃
频率 700MHz ~ 1GHz -
输出功率 45 W -
增益 21 dB -
额定电压 28 V -
封装 SOT-1223-1 HSOP
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99