对比图
型号 FDH3632 IRFP4310ZPBF IXTH75N10
描述 N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFETINFINEON IRFP4310ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.0048 ohm, 20 V, 4 VIXYS SEMICONDUCTOR IXTH75N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 100 V, 20 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 100 V - 100 V
额定电流 80.0 A - 75.0 A
漏源极电阻 0.0075 Ω 0.0048 Ω 0.02 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 310 W 280 W 300 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
输入电容 6.00 nF 6860 pF 4.50 nF
栅电荷 84.0 nC - 260 nC
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V - -
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 134A 75.0 A
上升时间 39.0 ns 60 ns -
输入电容(Ciss) 6000pF @25V(Vds) 6860pF @50V(Vds) 4500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 310 W 280 W 300 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 310W (Tc) 280000 mW 300W (Tc)
额定功率 - 280 W -
针脚数 - 3 3
下降时间 - 57 ns -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
长度 - 15.87 mm -
宽度 - 5.31 mm -
高度 - 20.7 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon Silicon
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - EAR99