STW13N95K3和STW19NM50N

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STW13N95K3 STW19NM50N STW6N95K5

描述 STMICROELECTRONICS  STW13N95K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 950 V, 0.68 ohm, 10 V, 4 VN 通道 MDmesh™,500V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics950V,1Ω,9A,N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

耗散功率 190 W 110 W 90 W

漏源极电压(Vds) 950 V 500 V 950 V

上升时间 16 ns 16 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 1620pF @100V(Vds) 1000pF @50V(Vds) 450pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 190 W 110 W 90 W

下降时间 21 ns 17 ns 21 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 190W (Tc) 110W (Tc) 90W (Tc)

通道数 - 1 -

漏源极电阻 0.68 Ω 0.2 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

阈值电压 4 V 4 V -

漏源击穿电压 - 500 V -

连续漏极电流(Ids) 10A 14A -

针脚数 3 - -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 15.75 mm 15.75 mm -

宽度 5.15 mm 5.15 mm -

高度 20.15 mm 20.15 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台