2N3762和JANTXV2N3762L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N3762 JANTXV2N3762L

描述 PNP开关硅晶体管 PNP SWITCHING SILICON TRANSISTORPNP开关硅晶体管 PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-39 TO-5-3

耗散功率 1 W 1 W

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW -

极性 - PNP

击穿电压(集电极-发射极) - 40 V

集电极最大允许电流 - 1.5A

最小电流放大倍数(hFE) - 30

最大电流放大倍数(hFE) - 120

封装 TO-39 TO-5-3

材质 Silicon -

产品生命周期 Active Active

包装方式 Bag -

RoHS标准 Non-Compliant -

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