对比图
型号 CSD85301Q2 CSD85301Q2T CSD87502Q2
描述 CSD85301Q2，双路 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFETTEXAS INSTRUMENTS CSD85301Q2T 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 900 mV30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、双路 SON2x2、42mΩ 6-WSON -55 to 150
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 WSON-FET-6 WDFN-6 WSON-FET-6
通道数 2 - 2
漏源极电阻 27 mΩ 0.023 Ω 42 mΩ
极性 N-CH Dual N-Channel N-CH
耗散功率 2.3 W 2.3 W 2.3 W
阈值电压 600 mV, 600 mV 900 mV 1.6 V
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 30 V
漏源击穿电压 ±20 V - 30 V
连续漏极电流(Ids) 5A 5A 5A
上升时间 26 ns 26 ns 11 ns
输入电容(Ciss) 469pF @10V(Vds) 469pF @10V(Vds) 353pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 2.3 W 2.3 W 2.3 W
下降时间 15 ns 15 ns 3 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 2300 mW 2.3 W 2300 mW
针脚数 - 6 -
长度 2 mm 2.1 mm 2 mm
宽度 2 mm 2.1 mm 2 mm
高度 0.75 mm 0.75 mm 0.75 mm
封装 WSON-FET-6 WDFN-6 WSON-FET-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 Active 正在供货
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -