对比图
型号 NTB5605PT4G SPB18P06PGATMA1 IRF9Z34NSPBF
描述 ON SEMICONDUCTOR NTB5605PT4G MOSFET Transistor, P Channel, -18.5 A, -60 V, 0.12 ohm, -5 V, -1.5 V 新Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPB18P06PGATMA1, 18.6 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装INFINEON IRF9Z34NSPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 19 A, -55 V, 100 mohm, -10 V, -4 V
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -
额定电流 -18.5 A -18.6 A -
通道数 1 - 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.14 Ω 0.101 Ω 0.1 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-CH
耗散功率 88 W 81.1 W 68 W
阈值电压 1.5 V 3 V 4 V
输入电容 730 pF 860 pF -
栅电荷 22.0 nC 33.0 nC -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 55 V
漏源击穿电压 60 V - 55 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 18.5 A 18.6 A 19A
上升时间 122 ns 5.8 ns 55 ns
输入电容(Ciss) 1190pF @25V(Vds) 690pF @25V(Vds) 620pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 88 W - -
下降时间 75 ns 11 ns 41 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 88W (Tc) 80000 mW 3.8W (Ta), 68W (Tc)
额定功率 - 81.1 W 68 W
长度 10.29 mm 10 mm 10.67 mm
宽度 9.65 mm 4.4 mm 9.65 mm
高度 4.83 mm 9.25 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 EAR99 - -