对比图
型号 IRF7342 IRF7342TRPBF IRF7342PBF
描述 SOIC P-CH 55V 3.4AINFINEON IRF7342TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3.4 A, -55 V, 0.095 ohm, -10 V, -1 VINFINEON IRF7342PBF 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 3.4 A, -55 V, 105 mohm, -10 V, -1 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) -55.0 V - -
额定电流 -3.40 A - -
漏源极电阻 150 mΩ 0.095 Ω 0.105 Ω
极性 Dual P-Channel P-CH P-CH
耗散功率 2.00 W 2 W 2 W
产品系列 IRF7342 - -
漏源极电压(Vds) 55.0 V 55 V 55 V
漏源击穿电压 -55.0 V 55 V -
连续漏极电流(Ids) 3.40 A 3.4A 3.4A
上升时间 10 ns 15 ns 10 ns
输入电容(Ciss) 690pF @25V(Vds) 690pF @25V(Vds) 690pF @25V(Vds)
下降时间 22 ns 32 ns 22 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2000 mW 2 W 2 W
额定功率 - 2 W 2 W
针脚数 - 8 8
阈值电压 - 1 V 1 V
额定功率(Max) - 2 W 2 W
通道数 - 2 -
输入电容 - 690 pF -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 - 5 mm 5 mm
宽度 - 4 mm 4 mm
高度 - 1.5 mm 1.5 mm
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -