BSO200P03SH和BSO200P03SHXUMA1

对比图

型号 BSO200P03SH BSO200P03SHXUMA1 SI7409DN-T1

描述 30V,-9.1A,P沟道功率MOSFETInfineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSO200P03SHXUMA1, 7.4 A, Vds=30 V, 8引脚 DSO封装Small Signal Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Intertechnology

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 8 8 -

封装 DSO PG-DSO-8 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1.56 W 1.56W (Ta) -

额定功率 - 1.56 W -

极性 - P-CH -

耗散功率 - 2.36 W -

漏源极电压(Vds) - 30 V -

连续漏极电流(Ids) - 7.4A -

上升时间 - 11 ns -

输入电容(Ciss) - 2330pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 1.56 W -

下降时间 - 33 ns -

长度 5 mm 5 mm -

宽度 4 mm 4 mm -

高度 1.65 mm 1.65 mm -

封装 DSO PG-DSO-8 -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 PB free 无铅 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -