对比图
型号 IRFP260NPBF IRFP4668PBF IRFP260PBF
描述 N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRFP4668PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 130 A, 200 V, 0.008 ohm, 30 V, 5 VVISHAY IRFP260PBF. 场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 46A, TO-247AC
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定功率 300 W 520 W -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.04 Ω 0.008 Ω 0.055 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 300 W 520 W 280 W
阈值电压 4 V 5 V 2 V
输入电容 4057 pF 10720 pF 5200pF @25V
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V - 200 V
连续漏极电流(Ids) 50A 130A 46.0 A
上升时间 60 ns 105 ns 120 ns
热阻 0.5℃/W (RθJC) - -
输入电容(Ciss) 4057pF @25V(Vds) 10720pF @50V(Vds) 5200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 520 W -
下降时间 48 ns 74 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 520W (Tc) 280 W
额定电压(DC) - - 200 V
额定电流 - - 46.0 A
长度 15.9 mm 15.87 mm 15.87 mm
宽度 5.3 mm 5.31 mm 5.31 mm
高度 20.3 mm 20.7 mm 20.82 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
材质 Silicon - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active -
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17