BSS123TA和VN2010L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS123TA VN2010L BSS123/SA

描述 DIODES INC.  BSS123TA  晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 6 ohm, 10 V, 2.2 VN-Channel 200V (D-S) MOSFETsTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3Pin SOT-23 T/R

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Vishay Siliconix Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

引脚数 3 - -

漏源极电阻 6 Ω 10.0 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 300 mW 800 mW -

漏源击穿电压 100 V 200 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 170 mA 190 mA 0.17A

额定电压(DC) 100 V - -

额定电流 170 mA - -

针脚数 3 - -

阈值电压 2.2 V - -

漏源极电压(Vds) 100 V - 100 V

上升时间 8 ns - -

正向电压(Max) 1.3 V - -

输入电容(Ciss) 20pF @25V(Vds) - -

额定功率(Max) 360 mW - -

下降时间 16 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 360mW (Ta) - -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

含铅标准 Lead Free - -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

军工级 Yes - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

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