IRL2910SPBF和STB35NF10T4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRL2910SPBF STB35NF10T4 STB40NF10LT4

描述 55A,100V,单N沟道功率MOSFETN 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STB40NF10LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.7 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V

额定电流 55.0 A 40.0 A 40.0 A

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - 0.03 Ω 0.028 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3.8 W 115 W 150 W

阈值电压 - 3 V 1.7 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±15.0 V

连续漏极电流(Ids) 55.0 A, 29.0 A 40.0 A 40.0 A

上升时间 100 ns 60 ns 82 ns

输入电容(Ciss) 3700pF @25V(Vds) 1550pF @25V(Vds) 2300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.8 W 115 W 150 W

下降时间 - 15 ns 24 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 115W (Tc) 150W (Tc)

产品系列 IRL2910S - -

长度 - 10.75 mm 10.4 mm

宽度 - 10.4 mm 9.35 mm

高度 - 4.6 mm 4.6 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -

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