IPS1041RPBF和VND3NV04

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPS1041RPBF VND3NV04 VND1NV04-E

描述 Power Switch Lo Side 2.2A 3Pin(2+Tab) DPAK TubeOMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFETVN750 系列 6 A 36 V 60 mOhm 单 表面贴装 高压侧 驱动器 - P2PAK

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器开关电源电源管理

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

输出接口数 1 1 1

输出电流 1.95 A 7 A 1.7 A

供电电流 - 0.1 mA 0.1 mA

耗散功率 2 W 35 W 35 W

上升时间 - - 500 ns

输出电流(Max) - 3.5 A 1.7 A

输出电流(Min) - - 1.7 A

输入数 - 1 1

下降时间 - - 600 ns

耗散功率(Max) - 35000 mW 35000 mW

输入电压(DC) 5.50 V - -

漏源极电阻 0.1 Ω 120 mΩ -

产品系列 IPS1041RPBF - -

阈值电压 1.7 V - -

钳位电压 39 V - -

输入电压(Max) 6 V - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

电源电压 4.5V ~ 5.5V - -

电源电压(Max) 36 V - -

输入电压 4V ~ 5.5V - -

极性 - N-Channel -

漏源击穿电压 - 40.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 3.50 A -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2014/12/17 - -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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