对比图
型号 IPP80N06S2-08 STD50N03L-1 IPP085N06LG
描述 的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-TransistorN沟道30V - 9.2mohm - 40A - DPAK / IPAK的STripFET TM III功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 9.2mohm - 40A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFETOptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-251-3 TO-220
极性 N-CH - -
耗散功率 215 W 60 W -
漏源极电压(Vds) 55 V 30 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 80A - 80.0 A
上升时间 15 ns - -
下降时间 14 ns - -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
输入电容(Ciss) - 1434pF @25V(Vds) 3500pF @30V(Vds)
额定功率(Max) - 60 W 188 W
耗散功率(Max) - 60W (Tc) -
额定电压(DC) - - 60.0 V
额定电流 - - 80.0 A
输入电容 - - 3.50 nF
栅电荷 - - 104 nC
长度 10 mm - -
宽度 4.4 mm - -
高度 15.65 mm - -
封装 TO-220-3 TO-251-3 TO-220
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Not Recommended Obsolete Obsolete
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 - -