对比图
型号 PSMN039-100YS PH20100S,115 PH1955L,115
描述 NXP PSMN039-100YS 晶体管, MOSFET, N沟道, 28.1 A, 100 V, 30.8 mohm, 10 V, 3 VPH20100S - N沟道TrenchMOS标准电平FETLFPAK N-CH 55V 40A
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 4 5
封装 SOT-669 SOT-669 SOT-669
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 74 W 62.5 W 75 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 28.1A 34.3 A 40.0 A
输入电容(Ciss) 1847pF @50V(Vds) 2264pF @25V(Vds) 1992pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 62.5 W 75 W
耗散功率(Max) 74 W 62.5W (Tc) 75W (Tc)
针脚数 4 - -
漏源极电阻 0.0308 Ω - -
阈值电压 3 V - -
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
上升时间 - - 180 ns
下降时间 - - 134 ns
封装 SOT-669 SOT-669 SOT-669
长度 5 mm - -
宽度 4.1 mm - -
高度 1.1 mm - -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Obsolete
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -