MMBT2222ATT1G和MMBT2222ATT3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT2222ATT1G MMBT2222ATT3G MMBT2222AT-7-F

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMBT2222ATT1G  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 150 mW, 600 mA, 35 hFE双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SC75 GP XSTR NPN 75VMMBT2222AT-7-F 编带

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-416 SOT-416-3 SOT-523-3

频率 300 MHz 300 MHz 300 MHz

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 150 mW 150 mW 150 mW

增益频宽积 - 300 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 0.6A 0.6A 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 35 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) 150 mW 150 mW 150 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 150 mW 150 mW 150 mW

额定电压(DC) 75.0 V - 40.0 V

额定电流 600 mA - 600 mA

额定功率 150 mW - -

针脚数 3 - -

直流电流增益(hFE) 35 - 100

最大电流放大倍数(hFE) - - 375

长度 1.65 mm 1.6 mm 1.6 mm

宽度 0.9 mm 0.8 mm 0.8 mm

高度 0.8 mm 0.75 mm 0.75 mm

封装 SOT-416 SOT-416-3 SOT-523-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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