J112和J112,126

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 J112 J112,126 J112G

描述 JFET斩波晶体管N通道 - 耗尽 JFET Chopper Transistors N−Channel - DepletionJFET N-CH 40V 20mA TO92-3JFET斩波晶体管N通道 - 耗尽 JFET Chopper Transistors N−Channel - Depletion

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-226-3 TO-226-3

漏源极电阻 50 Ω 50 Ω 50 Ω

漏源极电压(Vds) - 40 V 35.0 V

击穿电压 35 V 40 V 35 V

输入电容(Ciss) - 6pF @10V(Vgs) -

额定功率(Max) 625 mW 400 mW 350 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 350 mW 400 mW 350 mW

耗散功率 350 mW - 350 mW

额定电压(DC) - - 35.0 V

额定电流 - - 50.0 mA

击穿电压 - - -35.0 V

极性 - - N-Channel

栅源击穿电压 - - 35.0 V

宽度 4.19 mm 3.2 mm -

封装 TO-92-3 TO-226-3 TO-226-3

长度 5.2 mm - -

高度 5.33 mm - -

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Bag Tape & Box (TB) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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