FDS6682和SI4162DY-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS6682 SI4162DY-T1-GE3 IRF8714TRPBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6682  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 7.5 mohm, 10 V, 1.7 VVISHAY  SI4162DY-T1-GE3..  晶体管, MOSFET, N沟道, 19.3 A, 30 V, 6.5 mohm, 10 V, 1 VTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8Pin SOIC T/R

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Semiconductor (威世) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 5 W 2.5 W

产品系列 - - IRF8714

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 14.0 A - 14.0 A

输入电容(Ciss) 2310pF @15V(Vds) - 1020pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1 W - 2.5 W

针脚数 8 8 -

漏源极电阻 0.0075 Ω 0.0065 Ω -

阈值电压 1.7 V 1 V -

上升时间 7 ns 15 ns -

下降时间 16 ns 10 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2500 mW -

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 14.0 A - -

通道数 1 - -

输入电容 2.31 nF - -

栅电荷 22.0 nC - -

漏源击穿电压 30 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm 5 mm -

宽度 4 mm 4 mm -

高度 1.5 mm 1.5 mm -

产品生命周期 Active - Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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