对比图
型号 MMBT2222ALT1 MMBT2222LT1G MMBT2222ALT1G
描述 通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistors NPN SiliconON SEMICONDUCTOR MMBT2222LT1G. 单晶体管 双极, 通用, NPN, 30 V, 250 MHz, 225 mW, 600 mA, 250 hFEON SEMICONDUCTOR MMBT2222ALT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 225 mW, 600 mA, 300 hFE
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
频率 300 MHz 250 MHz 300 MHz
额定电压(DC) 40.0 V 30.0 V 40.0 V
额定电流 600 mA 600 mA 600 mA
耗散功率 0.3 W 225 mW 225 mW
击穿电压(集电极-发射极) 40 V 30 V 40 V
最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V
额定功率(Max) 225 mW 225 mW 225 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 300 mW
额定功率 - 300 mW 225 mW
针脚数 - 3 3
极性 - NPN NPN
增益频宽积 - 250 MHz 300 MHz
集电极最大允许电流 - 0.6A 0.6A
最大电流放大倍数(hFE) - 300 -
直流电流增益(hFE) - 250 300
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
长度 - 3.04 mm 2.9 mm
宽度 - 1.3 mm 1.3 mm
高度 - 1.11 mm 0.94 mm
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
香港进出口证 NLR - NLR