MUN5211DW1T1和MUN5211DW1T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5211DW1T1 MUN5211DW1T1G MUN5211T1

描述 MUN5211DW1T1 NPN+NPN复合带阻尼三极管 50V 100mA 60 310mW/0.31W SOT-363/SC-88/SC70-6 标记7A 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路ON SEMICONDUCTOR  MUN5211DW1T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-363MUN5211T1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k 10k 增益35-60 SOT-323/SC-70 marking/标记 8A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 -

封装 SOT-363-6 SC-70-6 SC-70-3

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

极性 NPN N-Channel, NPN NPN

耗散功率 187 mW 0.385 W 202 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 35 @5mA, 10V 35 @5mA, 10V -

最大电流放大倍数(hFE) 35 @5mA, 10V - -

额定功率(Max) 250 mW 250 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 385 mW 385 mW -

无卤素状态 - Halogen Free -

电源电压 - 2 V -

长度 2 mm 2 mm -

宽度 1.25 mm 1.25 mm -

高度 0.9 mm 0.9 mm -

封装 SOT-363-6 SC-70-6 SC-70-3

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

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