对比图
型号 GT50J102 GT50J325 STGP8NC60KD
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 200000mW 3Pin(3+Tab) TO-3PLTOSHIBA GT50J325 单晶体管, IGBT, 50 A, 2.45 V, 240 W, 600 V, TO-3P, 3 引脚STGP8NC60K 系列 N 沟道 600V 8 A 额定短路电流 PowerMESH IGBT - TO-220
数据手册 ---
制造商 Toshiba (东芝) Toshiba (东芝) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-3 TO-3 TO-220-3
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 200 W 240 W 65 W
上升时间 120 ns 70 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 200000 mW - 65000 mW
针脚数 - 3 3
工作结温(Max) - 150 ℃ -
击穿电压(集电极-发射极) - - 600 V
反向恢复时间 - - 23.5 ns
额定功率(Max) - - 65 W
封装 TO-3 TO-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended Active
包装方式 - - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead - Lead Free
ECCN代码 - - EAR99