对比图
型号 STD5NK40Z-1 STW20NK50Z IRFU320PBF
描述 N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsVISHAY IRFU320PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.1 A, 400 V, 1.8 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-251-3 TO-247-3 TO-251-3
通道数 1 1 -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 1.47 Ω 0.23 Ω 1.8 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 45 W 190 W 42 W
阈值电压 3.75 V 3.75 V 4 V
漏源极电压(Vds) 400 V 500 V 400 V
漏源击穿电压 400 V 500 V 400 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 3.00 A 17.0 A 3.10 A
上升时间 6 ns 20 ns 14 ns
输入电容(Ciss) 305pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 45 W 190 W -
下降时间 11 ns 15 ns 13 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 45W (Tc) 190W (Tc) -
额定电压(DC) - 500 V 400 V
额定电流 - 17.0 A 3.10 A
额定功率 - 190 W 42 W
输入电容 - 2600 pF -
长度 6.6 mm 15.75 mm 6.73 mm
宽度 2.4 mm 5.15 mm 2.39 mm
高度 6.2 mm 20.15 mm 6.22 mm
封装 TO-251-3 TO-247-3 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown Active -
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2014/06/16 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99