SST39LF040-55-4C-NHE和SST39LF040-55-4C-NHE-T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SST39LF040-55-4C-NHE SST39LF040-55-4C-NHE-T AM29F040B-55JF

描述 SST39LF010/020/040 并行 SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST39LF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。### 特点3.0-3.6V 读取和写入操作 寿命 - 100,000 次循环(典型) 低功耗 - 有源电流 5 mA,待机电流 1 μA(14 MHz 时的典型值) 扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区 读取访问时间 - 55 ns 扇区擦除时间 18 ms 芯片擦除时间:70 ms(典型) 字节编程时间 - 14 μs(典型) 芯片重写时间 - SST39LF010 2 秒,SST39SF020 4 秒,SST39SF040 8 秒(典型值) 锁存地址和数据 自动写入计时 - 内部 VPP 生成 写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询 CMOS 输入/输出兼容性 JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件 ### 闪存,MicrochipFlash Parallel 3.3V 4M-bit 512K x 8 55ns 32Pin PLCCSPANSION  AM29F040B-55JF  闪存, 4 Mbit, 512K x 8位, CFI, 并行, LCC, 32 引脚

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Spansion (飞索半导体)

分类 Flash芯片存储芯片Flash芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 32 32 32

封装 PLCC-32 PLCC-32 PLCC

电源电压(DC) - - 4.50V (min)

供电电流 20 mA - 30 mA

针脚数 32 - 32

存取时间 55 ns 55 ns 55 ns

内存容量 - - 500000 B

存取时间(Max) 55 ns - 55 ns

工作温度(Max) 70 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - -40 ℃

电源电压(Max) 3.6 V - 5.25 V

电源电压(Min) 3 V - 4.75 V

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V -

位数 8 - -

封装 PLCC-32 PLCC-32 PLCC

长度 11.43 mm - -

宽度 13.97 mm - -

高度 2.79 mm - -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 3A991.b.1.a - EAR99

香港进出口证 - - NLR

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) -

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